产品介绍

香港内部正版资料免费资料龙腾超结MOSFET系列产品，采用深沟槽技术与多次外延技术制造，具有较低的导通电阻和栅极电荷，明显降低导通和开关损耗，特别适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。


香港内部正版资料免费资料 产品特点

· 导通损耗低
     · 开关损耗低
     · 功率密度高
     · 产品谱系全



Part
Number		 VDS(V) ID (A)
25℃		 RDS(ON) (mΩ)
(VGS=10V)		 Qg(nC)
(VGS=10V)		 VGS(V) VGS(th)
(V)		 Package Data sheet
Typ. Max. Typ. Typ.
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龙腾半导体